.
✅ فناوری جدید 3D Stacking سامسونگ به کاهش اندازه تراشه‌های 7 نانومتری کمک می‌کند

? اگرچه تولید تراشه‌های 7 نانومتری دستاوردی بزرگ در سال 2020 به‌شمار می‌رود؛ اما اکنون کمپانی‌های مختلف در مسیر استفاده از تراشه‌های پیشرفته نسل آینده با لیتوگرافی 5 نانومتری به پیش می‌روند. بر اساس پیش‌بینی‌ها کمپانی‌هایی نظیر اپل و هواوی از نخستین تراشه‌های 5 نانومتری خود طی ماه‌های آینده رونمایی خواهند کرد. سامسونگ پیش‌تر تولید انبوه تراشه 5 نانومتری نسل آینده خود را آغاز نموده است و بر اساس پیش‌بینی‌ها این تراشه همراه با پرچم‌داران سری گلکسی S21 یا احتمالا گلکسی S30 معرفی خواهد شد. سامسونگ با وجود تمرکز بر طراحی تراشه نسل آینده خود در راستای ارتقاء استاندارد معروف 7 نانومتری به سختی تلاش می‌کند. با این‌حال چنین رویکردی ابدا شگفت‌آور نیست؛ چرا که انتظار می‌رود معماری 7 نانومتری نهایتا در سایر تراشه‌های میان‌رده نیز به‌کار گرفته شود. غول کره‌ای امروز اعلام کرد که در زمینه پیاده‌سازی فناوری پشته سه‌بعدی (3D Stacking) روی تراشه‌های 7 نانومتری مبتنی بر فرآیند EUV به موفقیت دست یافته است.

? سامسونگ این فناوری جدید را eXtended-Cube یا X-Cube نامگذاری نموده است. این فرآیند شامل استقرار پشته‌ای SRAM روی یک برد منطقی است. این فرآیند با استفاده از نیمه‌هادی سامسونگ و از طریق فناوری TSV انجام شده و طی آن جهت اتصال لایه‌ها روی تراشه از سوراخ‌های بسیار ریز استفاده می‌شود. این فرآیند در مقایسه با الگوی مورد استفاده در نیمه‌هادی‌های سیستمی متعارف نظیر CPU و GPU که دارای بردهای منطقی هستند؛ تا حدودی متفاوت خواهد بود. در این موارد حافظه‌های SRAM روی یک صفحه مشابه مستقر می‌شوند؛ در حالی‌که در فناوری X-Cube این SRAMها به‌صورت پشته‌ای روی صفحات منطقی قرار می‌گیرند. این فناوری به کاهش اندازه تراشه و صرفه‌جویی بهتر در مصرف انرژی کمک خواهد کرد. همچنین سامسونگ اعلام کرده که این فرآیند جدید موجب افزایش سرعت انتقال داده خواهد شد.

?تحول بزرگ در عصر آینده متعلق به تراشه‌های 5 نانومتری است؛ اما این پدیده مانع از توسعه تراشه‌های 7 نانومتری نخواهد شد

ادامه مطلب در کامنت اول